Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMN2028USS-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5277876Зображення DMN2028USS-13Diodes Incorporated

DMN2028USS-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.232
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMN2028USS-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 7.3A 8SO
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMN2028USS-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    20 mOhm @ 9.4A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.56W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    DMN2028USS-13DITR
    DMN2028USS13
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    25 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1000pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    11.6nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 7.3A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7.3A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMN2028USS-13".
DMN2041UFDB-13

DMN2041UFDB-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2028UFDH-7

DMN2028UFDH-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2028UVT-7

DMN2028UVT-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2041L-7

DMN2041L-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 6.4A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2040LTS-13

DMN2040LTS-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2040LSD-13

DMN2040LSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 7A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2041UFDB-7

DMN2041UFDB-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2029USD-13

DMN2029USD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2028UVT-13

DMN2028UVT-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2036UCB4-7

DMN2036UCB4-7

Опис: MOSFETN-CHAN 24V X2-WLB1616-4

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2027UPS-13

DMN2027UPS-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2026UVT-13

DMN2026UVT-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2027LK3-13

DMN2027LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 11.6A DPAK

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Опис: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2041LSD-13

DMN2041LSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2026UVT-7

DMN2026UVT-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2028UFDF-13

DMN2028UFDF-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2028UFU-7

DMN2028UFU-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A UDFN2030-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2028UFU-13

DMN2028UFU-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 7.9A UDFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMN2028UFDF-7

DMN2028UFDF-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 7.9A U-DFN2020-6

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.