Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMG8880LK3-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
557042Зображення DMG8880LK3-13Diodes Incorporated

DMG8880LK3-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.84
10+
$0.743
100+
$0.569
500+
$0.45
1000+
$0.36
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMG8880LK3-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMG8880LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    9.3 mOhm @ 11.6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.68W (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    DMG8880LK3-13DICT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1289pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    27.6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 11A (Ta) 1.68W (Ta) Surface Mount TO-252-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMG8880LK3-13".
DMG7401SFGQ-7

DMG7401SFGQ-7

Опис: MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG7N65SCTI

DMG7N65SCTI

Опис: MOSFET N-CH 650V 7.7A ITO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG963H10R

DMG963H10R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG963010R

DMG963010R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG8601UFG-7

DMG8601UFG-7

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG7702SFG-13

DMG7702SFG-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG7N65SCT

DMG7N65SCT

Опис: MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG8N65SCT

DMG8N65SCT

Опис: MOSFET N-CH 650V 8A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG7N65SJ3

DMG7N65SJ3

Опис: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG963H50R

DMG963H50R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG904010R

DMG904010R

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG8822UTS-13

DMG8822UTS-13

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG7408SFG-7

DMG7408SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG963020R

DMG963020R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG963HD0R

DMG963HD0R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG8880LSS-13

DMG8880LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG7430LFG-7

DMG7430LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG7702SFG-7

DMG7702SFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG963030R

DMG963030R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG963HC0R

DMG963HC0R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.