Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMG4N60SK3-13
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1867134Зображення DMG4N60SK3-13Diodes Incorporated

DMG4N60SK3-13

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.384
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMG4N60SK3-13
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / відповідність RoHS
  • Технічні таблиці
    DMG4N60SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.3 Ohm @ 2A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    48W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    DMG4N60SK3-13DITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    30 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    532pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    14.3nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 3.7A (Tc) 48W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    3.7A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMG4N60SK3-13".
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Опис: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Опис: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG564010R

DMG564010R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG563020R

DMG563020R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG563H10R

DMG563H10R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG564030R

DMG564030R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Опис: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Опис: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

Опис: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG563H50R

DMG563H50R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG563010R

DMG563010R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Опис: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG563H40R

DMG563H40R

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.