Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > DMG3415U-7
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4579196Зображення DMG3415U-7Diodes Incorporated

DMG3415U-7

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.104
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    DMG3415U-7
  • Виробник / марка
    Diodes Incorporated
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    DMG3415U-7.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    39 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    900mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    DMG3415U7
    DMG3415UDITR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    32 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    294pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    9.1nC @ 4.5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    P-Channel 20V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "DMG3415U-7".
DMG3415UFY4-7

DMG3415UFY4-7

Опис: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Опис: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4413LSS-13

DMG4413LSS-13

Опис: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3414U-7

DMG3414U-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3406L-13

DMG3406L-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3402L-7

DMG3402L-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3413L-7

DMG3413L-7

Опис: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3404L-13

DMG3404L-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3414UQ-7

DMG3414UQ-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4407SSS-13

DMG4407SSS-13

Опис: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3414UQ-13

DMG3414UQ-13

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Опис: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG4406LSS-13

DMG4406LSS-13

Опис: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3418L-7

DMG3418L-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3404L-7

DMG3404L-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3420U-7

DMG3420U-7

Опис: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3418L-13

DMG3418L-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3415UFY4Q-7

DMG3415UFY4Q-7

Опис: MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3406L-7

DMG3406L-7

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
DMG3407SSN-7

DMG3407SSN-7

Опис: MOSFET P-CH 30V 4A SC59

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.