Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > S27KS0641DPBHB020
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2156568Зображення S27KS0641DPBHB020Cypress Semiconductor

S27KS0641DPBHB020

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$5.09
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    S27KS0641DPBHB020
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    -
  • Напруга - Постачання
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Технологія
    DRAM
  • Пакет пристрою постачальника
    24-BGA (6x8)
  • Серія
    Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
  • Упаковка
    Tray
  • Пакет / Корпус
    24-TBGA
  • Робоча температура
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    64Mb (8M x 8)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Час виробництва виробника
    15 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Детальний опис
    DRAM Memory IC 64Mb (8M x 8) Parallel 166MHz 40ns 24-BGA (6x8)
  • Часова частота
    166MHz
  • Час доступу
    40ns
S27KL0641DABHB023

S27KL0641DABHB023

Опис: IC NOR

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KL0641DABHI023

S27KL0641DABHI023

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KS0641DPBHA020

S27KS0641DPBHA020

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KL0641DABHV020

S27KL0641DABHV020

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KS0641DPBHI023

S27KS0641DPBHI023

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KS0641DPBHB023

S27KS0641DPBHB023

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 166MHZ

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KL0641DABHV023

S27KL0641DABHV023

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KL0641DABHI020

S27KL0641DABHI020

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KS0641DPBHV020

S27KS0641DPBHV020

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KS0641DPBHI020

S27KS0641DPBHI020

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KL0641DABHI030

S27KL0641DABHI030

Опис: IC 64 MB FLASH MEMORY

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KL0641DABHI033

S27KL0641DABHI033

Опис: IC 64 MB FLASH MEMORY

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KL0641DABHV033

S27KL0641DABHV033

Опис: IC 64 MB FLASH MEMORY

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27S300D15Y

S27S300D15Y

Опис: SENSOR CURRENT HALL 300A AC/DC

Виробники: Tamura
В наявності
S27KS0641DPBHV023

S27KS0641DPBHV023

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 24BGA

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27S300D15YM

S27S300D15YM

Опис: SENSOR CURRENT HALL 300A AC/DC

Виробники: Tamura
В наявності
S27KL0641DABHB030

S27KL0641DABHB030

Опис: IC 64 MB FLASH MEMORY

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KL0641DABHB020

S27KL0641DABHB020

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 24FBGA

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KL0641DABHB033

S27KL0641DABHB033

Опис: IC 64 MB FLASH MEMORY

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності
S27KL0641DABHV030

S27KL0641DABHV030

Опис: IC 64 MB FLASH MEMORY

Виробники: Cypress Semiconductor
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти