Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > AOH3110
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2022360Зображення AOH3110Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AOH3110

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    AOH3110
  • Виробник / марка
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 1A SOT223
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.AOH3110.pdf
    2.AOH3110.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.9V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-223
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    700 mOhm @ 900mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.1W (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Інші імена
    785-1486-1
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    100pF @ 50V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 1A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "AOH3110".
BSS123L

BSS123L

Опис: MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
BUK9832-55A/CUX

BUK9832-55A/CUX

Опис: MOSFET N-CH 55V 12A SOT223

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
AOH3254

AOH3254

Опис: MOSFET N-CH 150V 5A SOT223-4

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
DMN3052LSS-13

DMN3052LSS-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8-SOIC

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
IXFT12N100

IXFT12N100

Опис: MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
NVD5890NT4G

NVD5890NT4G

Опис: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
TPH3206PS

TPH3206PS

Опис: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Виробники: Transphorm
В наявності
RFQ
TK62J60W,S1VQ

TK62J60W,S1VQ

Опис: MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
SI4463BDY-T1-E3

SI4463BDY-T1-E3

Опис: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IXTM5N100

IXTM5N100

Опис: POWER MOSFET TO-3

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
AOH3106

AOH3106

Опис: MOSFET N-CH 100V 2A SOT223

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
NTD20N03L27

NTD20N03L27

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IPC95R1K2P7X7SA1

IPC95R1K2P7X7SA1

Опис: MOSFET N-CH BARE DIE

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
FDM21-05QC

FDM21-05QC

Опис: MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
NP40N10YDF-E1-AY

NP40N10YDF-E1-AY

Опис: MOSFET N-CH 100V 40A MP-25ZP

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
IPP100N06S2L05AKSA1

IPP100N06S2L05AKSA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
FQP6N60C

FQP6N60C

Опис: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
TK100A08N1,S4X

TK100A08N1,S4X

Опис: MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
SI2321DS-T1-GE3

SI2321DS-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRLH6224TR2PBF

IRLH6224TR2PBF

Опис: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.