Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > AS4C8M32S-7TCNTR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4940398

AS4C8M32S-7TCNTR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$4.467
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    AS4C8M32S-7TCNTR
  • Виробник / марка
    Alliance Memory, Inc.
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
  • Технічні таблиці
    AS4C8M32S-7TCNTR.pdf
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    -
  • Напруга - Постачання
    3 V ~ 3.6 V
  • Технологія
    SDRAM
  • Пакет пристрою постачальника
    86-TSOP II
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Робоча температура
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    256Mb (8M x 32)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Детальний опис
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.5ns 86-TSOP II
  • Часова частота
    143MHz
  • Час доступу
    5.5ns

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "AS4C8M32S-7TCNTR".
AS4PDHM3_A/I

AS4PDHM3_A/I

Опис: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4PD-M3/87A

AS4PD-M3/87A

Опис: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Опис: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

Опис: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RFQ
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

Опис: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Виробники: Vishay Semiconductor Diodes Division
В наявності
RFQ
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
AS4PDHM3_A/H

AS4PDHM3_A/H

Опис: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Опис: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.