Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Інтегральні схеми (мікросхеми) > Пам'ять > AS4C4M16D1A-5TANTR
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6611298

AS4C4M16D1A-5TANTR

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$2.272
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    AS4C4M16D1A-5TANTR
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
  • Технічні таблиці
  • Напишіть цикл часу - слово, сторінка
    15ns
  • Напруга - Постачання
    2.3 V ~ 2.7 V
  • Технологія
    SDRAM - DDR
  • Пакет пристрою постачальника
    66-TSOP II
  • Серія
    Automotive, AEC-Q100
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • Робоча температура
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    5 (48 Hours)
  • Тип пам'яті
    Volatile
  • Розмір пам'яті
    64Mb (4M x 16)
  • Інтерфейс пам'яті
    Parallel
  • Формат пам'яті
    DRAM
  • Час виробництва виробника
    8 Weeks
  • Детальний опис
    SDRAM - DDR Memory IC 64Mb (4M x 16) Parallel 200MHz 700ps 66-TSOP II
  • Часова частота
    200MHz
  • Час доступу
    700ps
AS4C4M16D1A-5TAN

AS4C4M16D1A-5TAN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16S-6TAN

AS4C4M16S-6TAN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16D1-5TCN

AS4C4M16D1-5TCN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16S-6BIN

AS4C4M16S-6BIN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16D1-5TCNTR

AS4C4M16D1-5TCNTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16D1A-5TCNTR

AS4C4M16D1A-5TCNTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C32M8SA-7TCN

AS4C32M8SA-7TCN

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C32M8SA-6TIN

AS4C32M8SA-6TIN

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C32M8D1-5TINTR

AS4C32M8D1-5TINTR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16S-6BINTR

AS4C4M16S-6BINTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16S-6TANTR

AS4C4M16S-6TANTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16S-6TCNTR

AS4C4M16S-6TCNTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C32M8SA-6TINTR

AS4C32M8SA-6TINTR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16D1-5TIN

AS4C4M16D1-5TIN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16S-6TCN

AS4C4M16S-6TCN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C32M8SA-7TCNTR

AS4C32M8SA-7TCNTR

Опис: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16D1A-5TCN

AS4C4M16D1A-5TCN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16D1A-5TIN

AS4C4M16D1A-5TIN

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16D1A-5TINTR

AS4C4M16D1A-5TINTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності
AS4C4M16D1-5TINTR

AS4C4M16D1-5TINTR

Опис: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Виробники: Alliance Memory, Inc.
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти