Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > SVD5867NLT4G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3491944Зображення SVD5867NLT4GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

SVD5867NLT4G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.267
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    SVD5867NLT4G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    SVD5867NLT4G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    DPAK
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    39 mOhm @ 11A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.3W (Ta), 43W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    SVD5867NLT4GOSTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    16 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    675pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    N-Channel 60V 22A (Tc) 3.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    22A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "SVD5867NLT4G".
NTP60N06L

NTP60N06L

Опис: MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1

Опис: MOSFET P-CH 30V MICRO FOOT

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SVD2955T4G

SVD2955T4G

Опис: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SVD5803NT4G

SVD5803NT4G

Опис: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IPL60R125C7AUMA1

IPL60R125C7AUMA1

Опис: MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IPP80N06S2L05AKSA1

IPP80N06S2L05AKSA1

Опис: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
PSMN7R0-100ES,127

PSMN7R0-100ES,127

Опис: MOSFET N-CH 100V I2PAK

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
SIHS90N65E-E3

SIHS90N65E-E3

Опис: MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SVD5865NLT4G

SVD5865NLT4G

Опис: MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDU6676AS

FDU6676AS

Опис: MOSFET N-CH 30V 90A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NP110N03PUG-E1-AY

NP110N03PUG-E1-AY

Опис: MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
RSY200N05TL

RSY200N05TL

Опис: MOSFET N-CH 45V 20A TCPT3

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IRF5800TR

IRF5800TR

Опис: MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IXFR24N100

IXFR24N100

Опис: MOSFET N-CH 1KV 22A ISOPLUS247

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
AOD4180

AOD4180

Опис: MOSFET N-CH 80V 54A TO252

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
IXFC80N085

IXFC80N085

Опис: MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
FDB8442-F085

FDB8442-F085

Опис: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTB75N06T4G

NTB75N06T4G

Опис: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SVD14N03RT4G

SVD14N03RT4G

Опис: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.