Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > STD110N02RT4G-VF01
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4944475Зображення STD110N02RT4G-VF01AMI Semiconductor / ON Semiconductor

STD110N02RT4G-VF01

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.44
10+
$1.279
100+
$1.011
500+
$0.784
1000+
$0.619
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    STD110N02RT4G-VF01
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    STD110N02RT4G-VF01.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    DPAK
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    4.6 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.5W (Ta), 110W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    STD110N02RT4G-VF01OSCT
    STD110N02RT4G-VF01OSCT-ND
    STD110N02RT4GOSCT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    6 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3440pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    28nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    24V
  • Детальний опис
    N-Channel 24V 32A (Ta) 1.5W (Ta), 110W (Tc) Surface Mount DPAK
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    32A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "STD110N02RT4G-VF01".
STD11N65M5

STD11N65M5

Опис: MOSFET N CH 650V 9A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD11NM50N

STD11NM50N

Опис: MOSFET N-CH 500V 9A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD10NM65N

STD10NM65N

Опис: MOSFET N-CH 650V 9A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD10NF10T4

STD10NF10T4

Опис: MOSFET N-CH 100V 13A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD11N65M2

STD11N65M2

Опис: MOSFET N-CH 650V 7A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD10NM60N

STD10NM60N

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD10NM60ND

STD10NM60ND

Опис: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD11NM60N

STD11NM60N

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD10P10F6

STD10P10F6

Опис: MOSFET P-CH 100V 10A

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD110NH02LT4

STD110NH02LT4

Опис: MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD10PF06T4

STD10PF06T4

Опис: MOSFET P-CH 60V 10A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD110N8F6

STD110N8F6

Опис: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD10PF06-1

STD10PF06-1

Опис: MOSFET P-CH 60V 10A IPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD10NF30

STD10NF30

Опис: MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD11N50M2

STD11N50M2

Опис: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD11N60M2-EP

STD11N60M2-EP

Опис: N-CHANNEL 600 V, 0.550 OHM TYP.,

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD10P6F6

STD10P6F6

Опис: MOSFET P CH 60V 10A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD10NM50N

STD10NM50N

Опис: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD11NM60N-1

STD11NM60N-1

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A I-PAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
STD11N60DM2

STD11N60DM2

Опис: N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.