Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > NVMFS6H818NWFT1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1824265Зображення NVMFS6H818NWFT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFS6H818NWFT1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$2.00
10+
$1.774
100+
$1.402
500+
$1.087
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NVMFS6H818NWFT1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRENCH 8 80V NFET
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NVMFS6H818NWFT1G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 190µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3.7 mOhm @ 20A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.8W (Ta), 136W (Tc)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Інші імена
    NVMFS6H818NWFT1GOSCT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    44 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3100pF @ 40V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    80V
  • Детальний опис
    N-Channel 80V 20A (Ta), 123A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    20A (Ta), 123A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NVMFS6H818NWFT1G".
NVMFS6B85NLWFT3G

NVMFS6B85NLWFT3G

Опис: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6B75NLWFT3G

NVMFS6B75NLWFT3G

Опис: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6H800NWFT1G

NVMFS6H800NWFT1G

Опис: TRENCH 8 80V NFET

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6H801NT1G

NVMFS6H801NT1G

Опис: TRENCH 8 80V NFET

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6B25NLWFT3G

NVMFS6B25NLWFT3G

Опис: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMS5P02R2G

NVMS5P02R2G

Опис: MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6B85NLT3G

NVMFS6B85NLT3G

Опис: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6H800NT1G

NVMFS6H800NT1G

Опис: TRENCH 8 80V NFET

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6B25NLT3G

NVMFS6B25NLT3G

Опис: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6B75NLT3G

NVMFS6B75NLT3G

Опис: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6B75NLWFT1G

NVMFS6B75NLWFT1G

Опис: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMS10P02R2G

NVMS10P02R2G

Опис: MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6B85NLWFT1G

NVMFS6B85NLWFT1G

Опис: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6B75NLT1G

NVMFS6B75NLT1G

Опис: MOSFET N-CH 100V 7A 28A 5DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6H818NT1G

NVMFS6H818NT1G

Опис: TRENCH 8 80V NFET

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6B25NLWFT1G

NVMFS6B25NLWFT1G

Опис: MOSFET N-CH 100V 8A 33A 5DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6H801NWFT1G

NVMFS6H801NWFT1G

Опис: TRENCH 8 80V NFET

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMS4816NR2G

NVMS4816NR2G

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMSD6N303R2G

NVMSD6N303R2G

Опис: MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6B85NLT1G

NVMFS6B85NLT1G

Опис: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.