Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > NVMFS5113PLT1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6594956Зображення NVMFS5113PLT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFS5113PLT1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1500+
$0.792
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NVMFS5113PLT1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NVMFS5113PLT1G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    14 mOhm @ 17A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.8W (Ta), 150W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerTDFN
  • Інші імена
    NVMFS5113PLT1G-ND
    NVMFS5113PLT1GOSTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    50 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4400pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    83nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    P-Channel 60V 10A (Ta), 64A (Tc) 3.8W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta), 64A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NVMFS5113PLT1G".
NVMFS5830NLT3G

NVMFS5830NLT3G

Опис: MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS5830NLWFT3G

NVMFS5830NLWFT3G

Опис: MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS5826NLWFT1G

NVMFS5826NLWFT1G

Опис: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS4C302NWFT1G

NVMFS4C302NWFT1G

Опис: NFET SO8FL 30V 1.15MO

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS4C310NWFT3G

NVMFS4C310NWFT3G

Опис: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS5826NLT1G

NVMFS5826NLT1G

Опис: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS4C310NT1G

NVMFS4C310NT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS4C05NT1G

NVMFS4C05NT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS5830NLT1G

NVMFS5830NLT1G

Опис: MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS5832NLT1G

NVMFS5832NLT1G

Опис: MOSFET N-CH 40V 120A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS5826NLWFT3G

NVMFS5826NLWFT3G

Опис: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS4C05NT3G

NVMFS4C05NT3G

Опис: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS5826NLT3G

NVMFS5826NLT3G

Опис: MOSFET N-CH 60V 26A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS5830NLWFT1G

NVMFS5830NLWFT1G

Опис: MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS5113PLWFT1G

NVMFS5113PLWFT1G

Опис: NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS4C310NWFT1G

NVMFS4C310NWFT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS4C05NWFT3G

NVMFS4C05NWFT3G

Опис: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS4C302NT1G

NVMFS4C302NT1G

Опис: NFET SO8FL 30V 1.15MO

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS4C310NT3G

NVMFS4C310NT3G

Опис: MOSFET N-CH 30V TRENCH

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS4C05NWFT1G

NVMFS4C05NWFT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 116A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.