Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > NVMD6N03R2G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4775229

NVMD6N03R2G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NVMD6N03R2G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SOIC
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    32 mOhm @ 6A, 10V
  • Потужність - Макс
    1.29W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    950pF @ 24V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    6A
  • Номер базової частини
    NTMD6N03

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NVMD6N03R2G".
NVMFD5483NLT1G

NVMFD5483NLT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFD5489NLT3G

NVMFD5489NLT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVM100026

NVM100026

Опис: AC/DC CONVERTER 24V 180W

Виробники: TDK-Lambda Americas, Inc.
В наявності
RFQ
NVMFD5483NLWFT3G

NVMFD5483NLWFT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFD5483NLWFT1G

NVMFD5483NLWFT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFD5852NLWFT1G

NVMFD5852NLWFT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMD3P03R2G

NVMD3P03R2G

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFD5489NLWFT1G

NVMFD5489NLWFT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFD5485NLWFT1G

NVMFD5485NLWFT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMD6N04R2G

NVMD6N04R2G

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFD5489NLT1G

NVMFD5489NLT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVM100015

NVM100015

Опис: AC/DC CONVERTER 12V 180W

Виробники: TDK-Lambda Americas, Inc.
В наявності
RFQ
NVMFD5852NLT1G

NVMFD5852NLT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 15A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMD4N03R2G

NVMD4N03R2G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFD5485NLT3G

NVMFD5485NLT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFD5483NLT3G

NVMFD5483NLT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFD5485NLWFT3G

NVMFD5485NLWFT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFD5489NLWFT3G

NVMFD5489NLWFT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A DFN8

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFD5485NLT1G

NVMFD5485NLT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMD6P02R2G

NVMD6P02R2G

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.