Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > NVE4153NT1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1911418Зображення NVE4153NT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVE4153NT1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.179
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NVE4153NT1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 20V 0.915A SC89-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NVE4153NT1G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±6V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SC-89
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    230 mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    300mW (Tj)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SC-89, SOT-490
  • Інші імена
    NVE4153NT1GOSTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    18 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    110pF @ 16V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    1.82nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    N-Channel 20V 915mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SC-89
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    915mA (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NVE4153NT1G".
AON6566P

AON6566P

Опис: MOSFET N-CH 30V 27A DFN

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
PSMN012-100YLX

PSMN012-100YLX

Опис: MOSFET N-CH 100V 85A LFPAK56

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
IRF520NSPBF

IRF520NSPBF

Опис: MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IRF1503SPBF

IRF1503SPBF

Опис: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
AON6510

AON6510

Опис: MOSFET N-CH 30V 28A 8DFN

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
SIS890DN-T1-GE3

SIS890DN-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
APT10045B2LLG

APT10045B2LLG

Опис: MOSFET N-CH 1000V 23A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
RJL6012DPE-00#J3

RJL6012DPE-00#J3

Опис: MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
BSS7728N

BSS7728N

Опис: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IRF610LPBF

IRF610LPBF

Опис: MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
RSM002P03T2L

RSM002P03T2L

Опис: MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
SI1405DL-T1-GE3

SI1405DL-T1-GE3

Опис: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SS05N70AKMA1

SS05N70AKMA1

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IXTP80N10T

IXTP80N10T

Опис: MOSFET N-CH 100V 80A TO-220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
FDBL0110N60

FDBL0110N60

Опис: MOSFET N-CH 60V 300A

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
PSMN017-80PS,127

PSMN017-80PS,127

Опис: MOSFET N-CH 80V TO220AB

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
SI4654DY-T1-GE3

SI4654DY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IXFE39N90

IXFE39N90

Опис: MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS227

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
FQI9N50CTU

FQI9N50CTU

Опис: MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS5C460NLT1G

NTMFS5C460NLT1G

Опис: MOSFET N-CH 40V SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.