Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > NVC3S5A51PLZT1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5310721Зображення NVC3S5A51PLZT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVC3S5A51PLZT1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.255
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NVC3S5A51PLZT1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NVC3S5A51PLZT1G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.6V @ 1mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    3-CPH
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 1A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.2W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    NVC3S5A51PLZT1G-ND
    NVC3S5A51PLZT1GOSTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    12 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    262pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    6nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    60V
  • Детальний опис
    P-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 3-CPH
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

Intel отримає 7,86 мільярда доларів ...

2024/11/27

AMD запускає будівництво другої ф...

2024/11/26

Відеокарта NVIDIA RTX 5090 має площу GPU ...

2024/11/25

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NVC3S5A51PLZT1G".
IPP90R800C3XKSA1

IPP90R800C3XKSA1

Опис: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
IXKK85N60C

IXKK85N60C

Опис: MOSFET N-CH 600V 85A TO-264

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
TP5322N8-G

TP5322N8-G

Опис: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3

Виробники: Micrel / Microchip Technology
В наявності
RFQ
AON6404A_001

AON6404A_001

Опис: MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6

Виробники: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
В наявності
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Опис: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
IPD180N10N3GBTMA1

IPD180N10N3GBTMA1

Опис: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BUK6212-40C,118

BUK6212-40C,118

Опис: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
BUK7535-55A,127

BUK7535-55A,127

Опис: MOSFET N-CH 55V 35A TO220AB

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
BSP295L6327HTSA1

BSP295L6327HTSA1

Опис: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
NTP5411NG

NTP5411NG

Опис: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVC6S5A354PLZT1G

NVC6S5A354PLZT1G

Опис: MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IXFC30N60P

IXFC30N60P

Опис: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IRF3709ZSTRR

IRF3709ZSTRR

Опис: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SI7882DP-T1-E3

SI7882DP-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
STI23NM60N

STI23NM60N

Опис: MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
IRL3715ZL

IRL3715ZL

Опис: MOSFET N-CH 20V 50A TO-262

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
BUK9E2R3-40E,127

BUK9E2R3-40E,127

Опис: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Виробники: NXP Semiconductors / Freescale
В наявності
RFQ
IPF09N03LA G

IPF09N03LA G

Опис: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
TPCA8045-H(T2L1,VM

TPCA8045-H(T2L1,VM

Опис: MOSFET N-CH 40V 46A 8-SOP ADV

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
AUIRF7478Q

AUIRF7478Q

Опис: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.