Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > NVB6412ANT4G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
5057849Зображення NVB6412ANT4GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVB6412ANT4G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
800+
$0.954
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NVB6412ANT4G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NVB6412ANT4G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D2PAK-3
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    18.2 mOhm @ 58A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    167W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3500pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 58A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount D2PAK-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    58A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NVB6412ANT4G".
NVB6411ANT4G

NVB6411ANT4G

Опис: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
TK31N60W5,S1VF

TK31N60W5,S1VF

Опис: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Виробники: Toshiba Semiconductor and Storage
В наявності
RFQ
NVB5860NT4G

NVB5860NT4G

Опис: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVB6410ANT4G

NVB6410ANT4G

Опис: MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

Опис: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NVBP

NVBP

Опис: VERTICAL BLANKING PANELS WITH PA

Виробники: Panduit
В наявності
RFQ
SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NVB5404NT4G

NVB5404NT4G

Опис: MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVB5860NLT4G

NVB5860NLT4G

Опис: MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
STS9NF3LL

STS9NF3LL

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
NVB5405NT4G

NVB5405NT4G

Опис: MOSFET N-CH 40V 16.5A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IRFR9014NTRL

IRFR9014NTRL

Опис: MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
SI4436DY-T1-E3

SI4436DY-T1-E3

Опис: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
NVB25P06T4G

NVB25P06T4G

Опис: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQP2N60C

FQP2N60C

Опис: MOSFET N-CH 600V 2A TO-220

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVB60N06T4G

NVB60N06T4G

Опис: MOSFET N-CH 60V D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQPF17N08L

FQPF17N08L

Опис: MOSFET N-CH 80V 11.2A TO-220F

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD24N06-1G

NTD24N06-1G

Опис: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVB6413ANT4G

NVB6413ANT4G

Опис: MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVB5426NT4G

NVB5426NT4G

Опис: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.