Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > NTMKE4891NT1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
560083

NTMKE4891NT1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NTMKE4891NT1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 25V 129A ICEPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NTMKE4891NT1G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.6 mOhm @ 29A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    5-ICEPAK
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4360pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    25V
  • Детальний опис
    N-Channel 25V 26.7A (Ta), 151A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    26.7A (Ta), 151A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NTMKE4891NT1G".
NTMS4101PR2

NTMS4101PR2

Опис: MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS6B03NT1G

NTMFS6B03NT1G

Опис: MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS6B14NT1G

NTMFS6B14NT1G

Опис: MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS6B14NT3G

NTMFS6B14NT3G

Опис: MOSFET N-CH 100V 10A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMS4107NR2G

NTMS4107NR2G

Опис: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS6H800NT1G

NTMFS6H800NT1G

Опис: TRENCH 8 80V NFET

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMS3P03R2

NTMS3P03R2

Опис: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS6H801NT1G

NTMFS6H801NT1G

Опис: TRENCH 8 80V NFET

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMS4404NR2

NTMS4404NR2

Опис: MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS6H818NT1G

NTMFS6H818NT1G

Опис: TRENCH 8 80V NFET

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMS4176PR2G

NTMS4176PR2G

Опис: MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS6B03NT3G

NTMFS6B03NT3G

Опис: MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMKB4895NT1G

NTMKB4895NT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A ICEPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMS10P02R2

NTMS10P02R2

Опис: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS6B05NT3G

NTMFS6B05NT3G

Опис: MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMS4177PR2G

NTMS4177PR2G

Опис: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFS6B05NT1G

NTMFS6B05NT1G

Опис: MOSFET N-CH 100V 16A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMS3P03R2G

NTMS3P03R2G

Опис: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMKE4892NT1G

NTMKE4892NT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 126A ICEPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMS10P02R2G

NTMS10P02R2G

Опис: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.