Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > NTMFD4C85NT1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1523314Зображення NTMFD4C85NT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTMFD4C85NT1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NTMFD4C85NT1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NTMFD4C85NT1G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.1V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    8-DFN (5x6)
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3 mOhm @ 20A, 10V
  • Потужність - Макс
    1.13W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-PowerTDFN
  • Інші імена
    NTMFD4C85NT1G-ND
    NTMFD4C85NT1GOSTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1960pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • Особливість FET
    Standard
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 15.4A, 29.7A 1.13W Surface Mount 8-DFN (5x6)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    15.4A, 29.7A

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NTMFD4C85NT1G".
NTMFD4952NFT3G

NTMFD4952NFT3G

Опис: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4C86NT3G

NTMFD4C86NT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4C87NT3G

NTMFD4C87NT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4C86NT1G

NTMFD4C86NT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD5C466NLT1G

NTMFD5C466NLT1G

Опис: T6 40V LL S08FL DS

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4C20NT1G

NTMFD4C20NT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4902NFT1G

NTMFD4902NFT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD5C462NLT1G

NTMFD5C462NLT1G

Опис: T6 40V LL S08FL DS

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4C50NT1G

NTMFD4C50NT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4C20NT3G

NTMFD4C20NT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4951NFT1G

NTMFD4951NFT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4C87NT1G

NTMFD4C87NT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4C85NT3G

NTMFD4C85NT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD5C446NLT1G

NTMFD5C446NLT1G

Опис: T6 40V LL S08FL DS

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4C88NT1G

NTMFD4C88NT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4952NFT1G

NTMFD4952NFT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4C88NT3G

NTMFD4C88NT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4C50NT3G

NTMFD4C50NT3G

Опис: MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4951NFT3G

NTMFD4951NFT3G

Опис: MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4902NFT3G

NTMFD4902NFT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.