Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > NTMD6601NR2G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
868630

NTMD6601NR2G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NTMD6601NR2G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NTMD6601NR2G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SOIC
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    215 mOhm @ 2.2A, 10V
  • Потужність - Макс
    600mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    400pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • Тип FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    80V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.1A

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NTMD6601NR2G".
NTMD4884NFR2G

NTMD4884NFR2G

Опис: MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD4820NR2G

NTMD4820NR2G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD5836NLR2G

NTMD5836NLR2G

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 9A/5.7A SO-8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4901NFT1G

NTMFD4901NFT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD2P01R2

NTMD2P01R2

Опис: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD6N02R2

NTMD6N02R2

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD4N03R2G

NTMD4N03R2G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD6P02R2SG

NTMD6P02R2SG

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD6N03R2

NTMD6N03R2

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD6N02R2G

NTMD6N02R2G

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD2P01R2G

NTMD2P01R2G

Опис: MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD5838NLR2G

NTMD5838NLR2G

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 7.4A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4901NFT3G

NTMFD4901NFT3G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD4840NR2G

NTMD4840NR2G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD6N03R2G

NTMD6N03R2G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD6P02R2G

NTMD6P02R2G

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD4184PFR2G

NTMD4184PFR2G

Опис: MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD3P03R2G

NTMD3P03R2G

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMFD4902NFT1G

NTMFD4902NFT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 8DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTMD6N04R2G

NTMD6N04R2G

Опис: MOSFET 2N-CH 40V 4.6A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.