Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > NTLJD3181PZTBG
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
799556Зображення NTLJD3181PZTBGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLJD3181PZTBG

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NTLJD3181PZTBG
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NTLJD3181PZTBG.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    6-WDFN (2x2)
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Потужність - Макс
    710mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    6-WDFN Exposed Pad
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    450pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    7.8nC @ 4.5V
  • Тип FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Особливість FET
    Logic Level Gate
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    20V
  • Детальний опис
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.2A 710mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.2A

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NTLJD3181PZTBG".
NTLJD3119CTAG

NTLJD3119CTAG

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD3119CTBG

NTLJD3119CTBG

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD4116NT1G

NTLJD4116NT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD4150PTBG

NTLJD4150PTBG

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJF3118NTBG

NTLJF3118NTBG

Опис: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD3115PT1G

NTLJD3115PT1G

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD2104PTAG

NTLJD2104PTAG

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD2104PTBG

NTLJD2104PTBG

Опис: MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD2105LTBG

NTLJD2105LTBG

Опис: MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD3181PZTAG

NTLJD3181PZTAG

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD3183CZTBG

NTLJD3183CZTBG

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD3182FZTAG

NTLJD3182FZTAG

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLGF3501NT1G

NTLGF3501NT1G

Опис: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD3182FZTBG

NTLJD3182FZTBG

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLGF3501NT2G

NTLGF3501NT2G

Опис: MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJF3117PTAG

NTLJF3117PTAG

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJF3118NTAG

NTLJF3118NTAG

Опис: MOSFET N-CH 20V 2.6A 6-WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJF3117PT1G

NTLJF3117PT1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD3183CZTAG

NTLJD3183CZTAG

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTLJD3115PTAG

NTLJD3115PTAG

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.