Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, мікросхеми > NTJD1155LT1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2798853Зображення NTJD1155LT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTJD1155LT1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
3000+
$0.131
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NTJD1155LT1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NTJD1155LT1G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1V @ 250µA
  • Пакет пристрою постачальника
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    175 mOhm @ 1.2A, 4.5V
  • Потужність - Макс
    400mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Інші імена
    NTJD1155LT1GOSTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    50 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    -
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    -
  • Тип FET
    N and P-Channel
  • Особливість FET
    Standard
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    8V
  • Детальний опис
    Mosfet Array N and P-Channel 8V 1.3A 400mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.3A
  • Номер базової частини
    NTJD1155

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NTJD1155LT1G".
NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD4105CT4G

NTJD4105CT4G

Опис: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G

Опис: MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD4105CT2G

NTJD4105CT2G

Опис: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD2152PT4G

NTJD2152PT4G

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD4105CT2

NTJD4105CT2

Опис: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD4152PT2G

NTJD4152PT2G

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88-6

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD4001NT2G

NTJD4001NT2G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD4105CT1G

NTJD4105CT1G

Опис: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD4001NT1G

NTJD4001NT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD4152PT1

NTJD4152PT1

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD2152PT4

NTJD2152PT4

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD2152PT1G

NTJD2152PT1G

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD2152PT2G

NTJD2152PT2G

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD4001NT1

NTJD4001NT1

Опис: MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD3158CT2G

NTJD3158CT2G

Опис: MOSFET N/P-CH 20V SC88-6

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD2152PT1

NTJD2152PT1

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD2152PT2

NTJD2152PT2

Опис: MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD1155LT1

NTJD1155LT1

Опис: MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTJD4105CT4

NTJD4105CT4

Опис: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.