Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > NTGS1135PT1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6880624

NTGS1135PT1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NTGS1135PT1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NTGS1135PT1G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    850mV @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±6V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    6-TSOP
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    31 mOhm @ 4.6A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    970mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-23-6
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    2200pF @ 6V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    21nC @ 4.5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.2V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    8V
  • Детальний опис
    P-Channel 8V 4.6A (Ta) 970mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Ta)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NTGS1135PT1G".
NTGS3136PT1G

NTGS3136PT1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGS3443T1G

NTGS3443T1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGS3443T2G

NTGS3443T2G

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGD4167CT1G

NTGD4167CT1G

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGD1100LT1

NTGD1100LT1

Опис: MOSFET N-CHAN 3.3A 8V TSOP6

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGS3441T1G

NTGS3441T1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGD3133PT1G

NTGD3133PT1G

Опис: MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGS3441BT1G

NTGS3441BT1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGS3130NT1G

NTGS3130NT1G

Опис: MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGD3148NT1G

NTGD3148NT1G

Опис: MOSFET 2N-CH 20V 3A 6TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGS3443T1

NTGS3443T1

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGD1100LT1G

NTGD1100LT1G

Опис: MOSFET N/P-CH 8V 3.3A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGD4169FT1G

NTGD4169FT1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGS3441T1

NTGS3441T1

Опис: MOSFET P-CH 20V 1.65A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGS3433T1G

NTGS3433T1G

Опис: MOSFET P-CH 12V 2.35A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGD3149CT1G

NTGD3149CT1G

Опис: MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGS3443BT1G

NTGS3443BT1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.7A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGS3441PT1G

NTGS3441PT1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 1.8A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGD3147FT1G

NTGD3147FT1G

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTGD4161PT1G

NTGD4161PT1G

Опис: MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.