Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > NTD3817N-1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3215758Зображення NTD3817N-1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTD3817N-1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NTD3817N-1G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NTD3817N-1G.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±16V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    I-PAK
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    13.9 mOhm @ 15A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.2W (Ta), 25.9W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    702pF @ 12V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    10.5nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    16V
  • Детальний опис
    N-Channel 16V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7.6A (Ta), 34.5A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NTD3817N-1G".
NTD4302

NTD4302

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD32N06L-1G

NTD32N06L-1G

Опис: MOSFET N-CH 60V 32A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD32N06LT4G

NTD32N06LT4G

Опис: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD40N03R-001

NTD40N03R-001

Опис: MOSFET N-CH 25V 45A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD32N06LG

NTD32N06LG

Опис: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD3808N-1G

NTD3808N-1G

Опис: MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD40N03RG

NTD40N03RG

Опис: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD32N06T4G

NTD32N06T4G

Опис: MOSFET N-CH 60V 32A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD3813N-35G

NTD3813N-35G

Опис: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD4302G

NTD4302G

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD40N03RT4

NTD40N03RT4

Опис: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD3813N-1G

NTD3813N-1G

Опис: MOSFET N-CH 16V 9.6A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD3817N-35G

NTD3817N-35G

Опис: MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD40N03RT4G

NTD40N03RT4G

Опис: MOSFET N-CH 25V 7.8A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD3808NT4G

NTD3808NT4G

Опис: MOSFET N-CH 16V 12A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD3808N-35G

NTD3808N-35G

Опис: MOSFET N-CH 16V 12A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD4302-1G

NTD4302-1G

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.4A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD3813NT4G

NTD3813NT4G

Опис: MOSFET N-CH 16V 9.6A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD3817NT4G

NTD3817NT4G

Опис: MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NTD40N03R-1G

NTD40N03R-1G

Опис: MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.