Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - масиви, попередньо > NSVB144EPDXV6T1G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4542620Зображення NSVB144EPDXV6T1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NSVB144EPDXV6T1G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NSVB144EPDXV6T1G
  • Виробник / марка
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
  • Модель ECAD
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-563
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    47 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    47 kOhms
  • Потужність - Макс
    500mW
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    -
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 10V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA
NSVB123JPDXV6T1G

NSVB123JPDXV6T1G

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVB1706DMW5T1G

NSVB1706DMW5T1G

Опис:

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVBA114EDXV6T1G

NSVBA114EDXV6T1G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVBAS16TT1G

NSVBAS16TT1G

Опис: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC75

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVBAS116LT3G

NSVBAS116LT3G

Опис: DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVBA114YDXV6T1G

NSVBA114YDXV6T1G

Опис: TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSV60600MZ4T3G

NSV60600MZ4T3G

Опис:

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVBAS19LT1G

NSVBAS19LT1G

Опис: DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSV60601MZ4T1G

NSV60601MZ4T1G

Опис:

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
NSVBAS16WT3G

NSVBAS16WT3G

Опис: DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVB114YPDXV6T1G

NSVB114YPDXV6T1G

Опис: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVBAS21AHT1G

NSVBAS21AHT1G

Опис:

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVB143TPDXV6T1G

NSVB143TPDXV6T1G

Опис: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSV60600MZ4T1G

NSV60600MZ4T1G

Опис:

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVB124XPDXV6T1G

NSVB124XPDXV6T1G

Опис: TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSV60601MZ4T3G

NSV60601MZ4T3G

Опис:

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVB143ZPDXV6T1G

NSVB143ZPDXV6T1G

Опис: TRANS BRT 50V 100MA SOT563

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVBAS20LT3G

NSVBAS20LT3G

Опис: DIODE GP 200V 200MA SOT23-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
NSVBAS21HT1G

NSVBAS21HT1G

Опис:

Виробники: ON Semiconductor
В наявності
NSV9435T1G

NSV9435T1G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223-4

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти