Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - IGBTs - одиночні > NGTG30N60FLWG
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4774026Зображення NGTG30N60FLWGAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NGTG30N60FLWG

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$4.70
30+
$3.778
120+
$3.442
510+
$2.787
1020+
$2.351
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NGTG30N60FLWG
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IGBT 600V 60A 250W TO247
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NGTG30N60FLWG.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    600V
  • Vce (на) (Макс.) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • Умова випробувань
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (вкл / викл) @ 25 ° C
    83ns/170ns
  • Перемикання енергії
    700µJ (on), 280µJ (off)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-247
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    250W
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-247-3
  • Інші імена
    NGTG30N60FLWGOS
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип вводу
    Standard
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Плата за ворота
    170nC
  • Детальний опис
    IGBT Trench Field Stop 600V 60A 250W Through Hole TO-247
  • Поточний - Колектор імпульсний (ІКМ)
    120A
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    60A

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NGTG30N60FLWG".
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTG50N60FWG

NGTG50N60FWG

Опис: IGBT 600V 100A 223W TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTG25N120FL2WG

NGTG25N120FL2WG

Опис: IGBT 1200V 25A TO-247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTG20N60L2TF1G

NGTG20N60L2TF1G

Опис: IGBT 600V 40A 64W TO-3PF

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTG40N120FL2WG

NGTG40N120FL2WG

Опис: IGBT 1200V 40A TO-247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG

Опис: IGBT 650V 60A 167W TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTG15N60S1EG

NGTG15N60S1EG

Опис: IGBT 600V 30A 117W TO220-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Опис: DIODE GEN PURP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

Опис: DIODE GEN PURP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTG12N60TF1G

NGTG12N60TF1G

Опис: IGBT 600V 24A 54W TO-3PF

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTG15N120FL2WG

NGTG15N120FL2WG

Опис: IGBT 1200V 15A TO-247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTG30N60FWG

NGTG30N60FWG

Опис: IGBT 600V 60A 167W TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Опис: DIODE GEN PURP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTG50N60FLWG

NGTG50N60FLWG

Опис: IGBT 600V 50A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Опис: DIODE GEN PURP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.