Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - IGBTs - одиночні > NGTD23T120F2WP
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4771914

NGTD23T120F2WP

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
104+
$3.266
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NGTD23T120F2WP
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NGTD23T120F2WP.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    1200V
  • Vce (на) (Макс.) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 25A
  • Умова випробувань
    -
  • Td (вкл / викл) @ 25 ° C
    -
  • Перемикання енергії
    -
  • Пакет пристрою постачальника
    Die
  • Серія
    -
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    Die
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Час виробництва виробника
    4 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип вводу
    Standard
  • Тип IGBT
    Trench Field Stop
  • Детальний опис
    IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die
  • Поточний - Колектор імпульсний (ІКМ)
    120A

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NGTD23T120F2WP".
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD5R65F2WP

NGTD5R65F2WP

Опис: DIODE GEN PURP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD20T120F2SWK

NGTD20T120F2SWK

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD20T120F2WP

NGTD20T120F2WP

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD21T65F2SWK

NGTD21T65F2SWK

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD8R65F2WP

NGTD8R65F2WP

Опис: DIODE GEN PURP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD9R120F2WP

NGTD9R120F2WP

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD23T120F2SWK

NGTD23T120F2SWK

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD17T65F2SWK

NGTD17T65F2SWK

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD17R120F2WP

NGTD17R120F2WP

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Опис: DIODE GEN PURP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD21T65F2WP

NGTD21T65F2WP

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD17T65F2WP

NGTD17T65F2WP

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD9R120F2SWK

NGTD9R120F2SWK

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD8R65F2SWK

NGTD8R65F2SWK

Опис: DIODE GEN PURP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Опис: DIODE GEN PURP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.