Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - IGBTs - одиночні > NGTB75N65FL2WAG
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3411420

NGTB75N65FL2WAG

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
90+
$5.405
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    NGTB75N65FL2WAG
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    NGTB75N65FL2WAG.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    650V
  • Vce (на) (Макс.) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 75A
  • Умова випробувань
    400V, 75A, 10 Ohm, 15V
  • Td (вкл / викл) @ 25 ° C
    23ns/157ns
  • Перемикання енергії
    610µJ (on), 1.2mJ (off)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-247-4L
  • Серія
    -
  • Зворотний час відновлення (trr)
    90ns
  • Потужність - Макс
    536W
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-247-4
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип вводу
    Standard
  • Тип IGBT
    Field Stop
  • Плата за ворота
    310nC
  • Детальний опис
    IGBT Field Stop 650V 200A 536W Through Hole TO-247-4L
  • Поточний - Колектор імпульсний (ІКМ)
    200A
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    200A

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "NGTB75N65FL2WAG".
NGTB50N65S1WG

NGTB50N65S1WG

Опис: IGBT TRENCH 650V 140A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Опис: DIODE GEN PURP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD13R120F2SWK

NGTD13R120F2SWK

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTB50N60S1WG

NGTB50N60S1WG

Опис: IGBT 50A 600V TO-247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTB75N65FL2WG

NGTB75N65FL2WG

Опис: IGBT 600V 75A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD14T65F2SWK

NGTD14T65F2SWK

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTB60N60SWG

NGTB60N60SWG

Опис: IGBT 600V 120A 298W TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK

Опис: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG

Опис: 650V/60A IGBT FSII

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTB50N65FL2WAG

NGTB50N65FL2WAG

Опис: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTB75N60FL2WG

NGTB75N60FL2WG

Опис: IGBT 600V 75A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTB50N65FL2WG

NGTB50N65FL2WG

Опис: IGBT 600V 50A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTB50N60L2WG

NGTB50N60L2WG

Опис: IGBT 600V 50A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTB75N60SWG

NGTB75N60SWG

Опис: IGBT 75A 600V TO-247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTB50N60SWG

NGTB50N60SWG

Опис: IGBT 600V 50A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

Опис: DIODE GEN PURP 650V DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NGTD13R120F2WP

NGTD13R120F2WP

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.