Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні, попередн > MUN2212T1
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6797222Зображення MUN2212T1AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MUN2212T1

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MUN2212T1
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Містить свинець / RoHS невідповідний
  • Технічні таблиці
    MUN2212T1.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    50V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Пакет пристрою постачальника
    SC-59
  • Серія
    -
  • Резистор - емітерна база (R2)
    22 kOhms
  • Резистор - база (R1)
    22 kOhms
  • Потужність - Макс
    338mW
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Інші імена
    MUN2212T1OSCT
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Детальний опис
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    500nA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    100mA
  • Номер базової частини
    MUN2212

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MUN2212T1".
MUN2213JT1

MUN2213JT1

Опис: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2211T3

MUN2211T3

Опис: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2214T1G

MUN2214T1G

Опис: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2137T1

MUN2137T1

Опис: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2136T1G

MUN2136T1G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2212T1G

MUN2212T1G

Опис: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2138T1G

MUN2138T1G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2211T1G

MUN2211T1G

Опис: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2230T1G

MUN2230T1G

Опис: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2216T1G

MUN2216T1G

Опис: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2211JT1G

MUN2211JT1G

Опис: TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2213T1G

MUN2213T1G

Опис: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2211T3G

MUN2211T3G

Опис: TRANS PREBIAS NPN 230MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2213JT1G

MUN2213JT1G

Опис: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2141T1G

MUN2141T1G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2140T1G

MUN2140T1G

Опис: TRANS PREBIAS PNP 0.23W SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2211JT1

MUN2211JT1

Опис: TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2214T1

MUN2214T1

Опис: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2215T1G

MUN2215T1G

Опис: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MUN2214T3G

MUN2214T3G

Опис: TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.