Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - біполярні (BJT) - одиночні > MJD117G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4342285Зображення MJD117GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD117G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.66
75+
$0.527
150+
$0.422
525+
$0.331
1050+
$0.256
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    MJD117G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    MJD117G.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    100V
  • Насиченість VCE (Макс.) @ Ib, Ic
    3V @ 40mA, 4A
  • Тип транзистора
    PNP - Darlington
  • Пакет пристрою постачальника
    DPAK
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    1.75W
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    MJD117G-ND
    MJD117GOS
  • Робоча температура
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    2 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Частота - перехід
    25MHz
  • Детальний опис
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Surface Mount DPAK
  • Потужність постійного струму (hFE) (мінімум) @ Ic, Vce
    1000 @ 2A, 3V
  • Поточний - Колектор відсікання (Макс)
    20µA
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    2A
  • Номер базової частини
    MJD117

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "MJD117G".
MJD117T4

MJD117T4

Опис: TRANS PNP DARL 100V 2A D-PAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
MJD117RLG

MJD117RLG

Опис: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD122-TP

MJD122-TP

Опис: TRANS NPN 100V 8A DPAK

Виробники: Micro Commercial Components (MCC)
В наявності
RFQ
MJD117-001

MJD117-001

Опис: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD122G

MJD122G

Опис: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD112T4G

MJD112T4G

Опис: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD117T4G

MJD117T4G

Опис: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD112G

MJD112G

Опис: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD122T4

MJD122T4

Опис: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
MJD117

MJD117

Опис: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD112T4

MJD112T4

Опис: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD117-1G

MJD117-1G

Опис: TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD122-1

MJD122-1

Опис: TRANS NPN DARL 100V 8A TO251

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
MJD112RL

MJD112RL

Опис: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD112T4

MJD112T4

Опис: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
MJD117TF

MJD117TF

Опис: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD112TF

MJD112TF

Опис: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD117T4

MJD117T4

Опис: TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
MJD112RLG

MJD112RLG

Опис: TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.