Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > ISL9N303AP3
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2162434

ISL9N303AP3

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    ISL9N303AP3
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.ISL9N303AP3.pdf
    2.ISL9N303AP3.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220AB
  • Серія
    UltraFET™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    3.2 mOhm @ 75A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    215W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    7000pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    172nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 75A (Tc) 215W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    75A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "ISL9N303AP3".
ISL9K860P3

ISL9K860P3

Опис: DIODE ARRAY GP 600V 8A TO220

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9R18120G2

ISL9R18120G2

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9K3060G3

ISL9K3060G3

Опис: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9N302AS3

ISL9N302AS3

Опис: MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9K30120G3

ISL9K30120G3

Опис: DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9K1560G3

ISL9K1560G3

Опис: DIODE ARRAY GP 600V 15A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9N302AP3

ISL9N302AP3

Опис: MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9R1560PF2

ISL9R1560PF2

Опис: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9R1560S3ST

ISL9R1560S3ST

Опис: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263-2

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9R18120P2

ISL9R18120P2

Опис: DIODE GEN PURP 1.2KV 18A TO220AC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9N303AS3ST

ISL9N303AS3ST

Опис: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9N302AS3ST

ISL9N302AS3ST

Опис: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9R1560P2

ISL9R1560P2

Опис: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9R1560G2-F085

ISL9R1560G2-F085

Опис: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9N303AS3

ISL9N303AS3

Опис: MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9K8120P3

ISL9K8120P3

Опис: DIODE ARRAY GP 1200V 8A TO220

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9R1560G2

ISL9R1560G2

Опис: DIODE GEN PURP 600V 15A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9R1560P2-F085

ISL9R1560P2-F085

Опис: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9K18120G3

ISL9K18120G3

Опис: DIODE ARRAY GP 1200V 18A TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
ISL9K460P3

ISL9K460P3

Опис: DIODE ARRAY GP 600V 4A TO220

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.