Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - IGBTs - одиночні > HGT1S10N120BNST
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4281799Зображення HGT1S10N120BNSTAMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGT1S10N120BNST

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
800+
$2.305
1600+
$1.944
2400+
$1.852
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    HGT1S10N120BNST
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    HGT1S10N120BNST.pdf
  • Напруга - розподіл емітера колектора (макс.)
    1200V
  • Vce (на) (Макс.) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • Умова випробувань
    960V, 10A, 10 Ohm, 15V
  • Td (вкл / викл) @ 25 ° C
    23ns/165ns
  • Перемикання енергії
    320µJ (on), 800µJ (off)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-263AB
  • Серія
    -
  • Потужність - Макс
    298W
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    HGT1S10N120BNST-ND
    HGT1S10N120BNSTTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    44 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип вводу
    Standard
  • Тип IGBT
    NPT
  • Плата за ворота
    100nC
  • Детальний опис
    IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB
  • Поточний - Колектор імпульсний (ІКМ)
    80A
  • Поточний - Колектор (Ic) (Макс)
    35A
  • Номер базової частини
    HGT1S10N120

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "HGT1S10N120BNST".
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

Опис: IGBT 1200V 35A 298W TO247

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

Опис: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

Опис: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1N40N60A4D

HGT1N40N60A4D

Опис: IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S14N36G3VLS

HGT1S14N36G3VLS

Опис: IGBT 390V 18A 100W TO263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Опис: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A

Опис: IGBT 600V 54A 167W TO263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

Опис: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Опис: IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS

Опис: IGBT 380V 20A 150W TO263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S10N120BNS

HGT1S10N120BNS

Опис: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

Опис: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Опис: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

Опис: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

Опис: IGBT 390V 18A 100W TO262AA

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL

Опис: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1N30N60A4D

HGT1N30N60A4D

Опис: IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

Опис: IGBT 600V 54A 167W D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Опис: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

Опис: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.