Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Ізолятори > Оптоізолятори - транзистор, фотогальванічний вихід > H11G1SR2VM
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4034155Зображення H11G1SR2VMAMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11G1SR2VM

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1000+
$0.407
2000+
$0.387
5000+
$0.378
10000+
$0.364
25000+
$0.352
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    H11G1SR2VM
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    H11G1SR2VM.pdf
  • Напруга - вихід (Макс)
    100V
  • Напруга - ізоляція
    4170Vrms
  • Напруга - вперед (Vf) (тип)
    1.3V
  • Насиченість Vce (Макс)
    1V
  • Ввімкнути / вимкнути час (тип)
    5µs, 100µs
  • Пакет пристрою постачальника
    6-SMD
  • Серія
    -
  • Час підйому / падіння (тип)
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    6-SMD, Gull Wing
  • Тип виводу
    Darlington with Base
  • Інші імена
    H11G1SR2VM-ND
    H11G1SR2VMTR
  • Робоча температура
    -40°C ~ 100°C
  • Кількість каналів
    1
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    9 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип вводу
    DC
  • Детальний опис
    Optoisolator Darlington with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-SMD
  • Коефіцієнт передачі струму (мін)
    1000% @ 10mA
  • Коефіцієнт поточного передавання (макс.)
    -
  • Поточний - вихід / канал
    -
  • Поточний - DC Вперед (якщо) (Макс)
    60mA

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "H11G1SR2VM".
H11G2300W

H11G2300W

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2300

H11G2300

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G1TVM

H11G1TVM

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2M

H11G2M

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2M_F132

H11G2M_F132

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G1S

H11G1S

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G13SD

H11G13SD

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G1

H11G1

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G1300W

H11G1300W

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G1W

H11G1W

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G1SM

H11G1SM

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2S

H11G2S

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G1M

H11G1M

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G23SD

H11G23SD

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G2

H11G2

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G1300

H11G1300

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G1SR2M

H11G1SR2M

Опис: OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G1SD

H11G1SD

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G13S

H11G13S

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11G23S

H11G23S

Опис: OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.