Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Ізолятори > Оптоізолятори - транзистор, фотогальванічний вихід > H11F2SD
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
624564Зображення H11F2SDAMI Semiconductor / ON Semiconductor

H11F2SD

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    H11F2SD
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    H11F2SD.pdf
  • Напруга - вихід (Макс)
    30V
  • Напруга - ізоляція
    5300Vrms
  • Напруга - вперед (Vf) (тип)
    1.3V
  • Насиченість Vce (Макс)
    -
  • Ввімкнути / вимкнути час (тип)
    25µs, 25µs (Max)
  • Пакет пристрою постачальника
    6-SMD
  • Серія
    -
  • Час підйому / падіння (тип)
    -
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    6-SMD, Gull Wing
  • Тип виводу
    MOSFET
  • Робоча температура
    -55°C ~ 100°C
  • Кількість каналів
    1
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Тип вводу
    DC
  • Детальний опис
    Optoisolator MOSFET Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD
  • Коефіцієнт передачі струму (мін)
    -
  • Коефіцієнт поточного передавання (макс.)
    -
  • Поточний - вихід / канал
    -
  • Поточний - DC Вперед (якщо) (Макс)
    60mA

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "H11F2SD".
H11F33SD

H11F33SD

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F1W

H11F1W

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F2S

H11F2S

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F33S

H11F33S

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F1VM

H11F1VM

Опис: OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F3S

H11F3S

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F3300W

H11F3300W

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F3M

H11F3M

Опис: OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F3

H11F3

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F3SD

H11F3SD

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F23SD

H11F23SD

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F23S

H11F23S

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F2M

H11F2M

Опис: OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F1TVM

H11F1TVM

Опис: OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F3300

H11F3300

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F2

H11F2

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F2W

H11F2W

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F2300W

H11F2300W

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F2300

H11F2300

Опис: OPTOISOLTR 5.3KV PHOTO FET 6-DIP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
H11F3SM

H11F3SM

Опис: OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-SMD

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.