Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FQT1N60CTF-WS
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4056925

FQT1N60CTF-WS

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$0.98
10+
$0.858
100+
$0.662
500+
$0.49
1000+
$0.392
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FQT1N60CTF-WS
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.FQT1N60CTF-WS.pdf
    2.FQT1N60CTF-WS.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-223-4
  • Серія
    QFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    11.5 Ohm @ 100mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.1W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Інші імена
    FQT1N60CTF-WSDKR
    FQT1N60CTF_WSDKR
    FQT1N60CTF_WSDKR-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    14 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    170pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    6.2nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    200mA (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FQT1N60CTF-WS".
FQT3P20TF

FQT3P20TF

Опис: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQT3P20TF-SB82100

FQT3P20TF-SB82100

Опис: MOSFET P-CH 200V 0.67A SOT-223-4

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQT5P10TF

FQT5P10TF

Опис: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQT13N06LTF

FQT13N06LTF

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQT-1

FQT-1

Опис: RIVET PUSH 0.470" ACETAL WHITE

Виробники: Essentra Components
В наявності
RFQ
GP1M008A025FG

GP1M008A025FG

Опис: MOSFET N-CH 250V 8A TO220F

Виробники: Global Power Technologies Group
В наявності
RFQ
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
SI4420BDY-T1-GE3

SI4420BDY-T1-GE3

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
FQT4N25TF

FQT4N25TF

Опис: MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQT13N06TF

FQT13N06TF

Опис: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
BUK7E13-60E,127

BUK7E13-60E,127

Опис: MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
FQT4N20LTF

FQT4N20LTF

Опис: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
RND030N20TL

RND030N20TL

Опис: MOSFET N-CH 200V 3A CPT3

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
FQT7N10TF

FQT7N10TF

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

Опис: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQT1N80TF-WS

FQT1N80TF-WS

Опис: MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQT-1BK

FQT-1BK

Опис: RIVET PUSH 0.470" ACETAL BLACK

Виробники: Essentra Components
В наявності
RFQ
FQT4N20TF

FQT4N20TF

Опис: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IRFB41N15DPBF

IRFB41N15DPBF

Опис: MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
FQT2P25TF

FQT2P25TF

Опис: MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.