Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FQN1N60CBU
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
116544

FQN1N60CBU

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FQN1N60CBU
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 0.3A TO-92
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FQN1N60CBU.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-92-3
  • Серія
    QFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    11.5 Ohm @ 150mA, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1W (Ta), 3W (Tc)
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    170pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    6.2nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 300mA (Tc) 1W (Ta), 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    300mA (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FQN1N60CBU".
FQN1N50CTA

FQN1N50CTA

Опис: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
SFP9640

SFP9640

Опис: MOSFET P-CH 200V 11A TO-220

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IRF820ASTRL

IRF820ASTRL

Опис: MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
IRFS4510TRLPBF

IRFS4510TRLPBF

Опис: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
TPS1100PWR

TPS1100PWR

Опис: MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP

Виробники: Luminary Micro / Texas Instruments
В наявності
RFQ
FQNL1N50BTA

FQNL1N50BTA

Опис: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQNL1N50BBU

FQNL1N50BBU

Опис: MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQN1N60CTA

FQN1N60CTA

Опис: MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IPC60R190P6X7SA1

IPC60R190P6X7SA1

Опис: MOSFET N-CH

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
STW9NK70Z

STW9NK70Z

Опис: MOSFET N-CH 700V 7.5A TO-247

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
IRFZ34E

IRFZ34E

Опис: MOSFET N-CH 60V 28A TO-220AB

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

Опис: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
FQNL2N50BBU

FQNL2N50BBU

Опис: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQNL2N50BTA

FQNL2N50BTA

Опис: MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
NVMFS6B03NWFT1G

NVMFS6B03NWFT1G

Опис: MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQN1N50CBU

FQN1N50CBU

Опис: MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IPD90N10S406ATMA1

IPD90N10S406ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO252-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
APT75M50B2

APT75M50B2

Опис: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Виробники: Microsemi
В наявності
RFQ
DMT3003LFG-13

DMT3003LFG-13

Опис: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
STU150N3LLH6

STU150N3LLH6

Опис: MOSFET N-CH 30V 80A IPAK

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.