Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FQD10N20CTF
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
488393

FQD10N20CTF

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FQD10N20CTF
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.FQD10N20CTF.pdf
    2.FQD10N20CTF.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D-Pak
  • Серія
    QFET®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 3.9A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    50W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    510pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    200V
  • Детальний опис
    N-Channel 200V 7.8A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    7.8A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FQD10N20CTF".
FQD11P06TF

FQD11P06TF

Опис: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD10N20CTM

FQD10N20CTM

Опис: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD10N20LTM

FQD10N20LTM

Опис: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD12N20LTM-F085

FQD12N20LTM-F085

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD10N20TM

FQD10N20TM

Опис: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD10N20TF

FQD10N20TF

Опис: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD10N20CTM_F080

FQD10N20CTM_F080

Опис: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD12N20TM

FQD12N20TM

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD11P06TM

FQD11P06TM

Опис: MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD10N20LTF

FQD10N20LTF

Опис: MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD12P10TM

FQD12P10TM

Опис: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD12N20LTM-F085P

FQD12N20LTM-F085P

Опис: NMOS DPAK 200V 280 MOHM

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD12N20TM_F080

FQD12N20TM_F080

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD12N20LTM_SN00173

FQD12N20LTM_SN00173

Опис: MOSFET N-CH 200V DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD12N20LTF

FQD12N20LTF

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD12N20LTM

FQD12N20LTM

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD12N20TF

FQD12N20TF

Опис: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD12P10TM-F085

FQD12P10TM-F085

Опис: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD13N06LTF

FQD13N06LTF

Опис: MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD12P10TF

FQD12P10TF

Опис: MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.