Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDV303N_NB9U008
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3842046

FDV303N_NB9U008

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDV303N_NB9U008
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.FDV303N_NB9U008.pdf
    2.FDV303N_NB9U008.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-23
  • Серія
    -
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    450 mOhm @ 500mA, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    350mW (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    50pF @ 10V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    2.3nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.7V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    25V
  • Детальний опис
    N-Channel 25V 680mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    680mA (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDV303N_NB9U008".
FDV14-250Q

FDV14-250Q

Опис: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDV302P_D87Z

FDV302P_D87Z

Опис: MOSFET P-CH 25V 0.12A SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDV14-187Q

FDV14-187Q

Опис: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDV302P

FDV302P

Опис: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDV304P

FDV304P

Опис: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDV10-250Q

FDV10-250Q

Опис: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDVE1040-H-3R3M=P3

FDVE1040-H-3R3M=P3

Опис: FIXED IND 3.3UH 9A 10.1MOHM SMD

Виробники: Murata Electronics
В наявності
RFQ
FDV303N

FDV303N

Опис: MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDV18-250Q

FDV18-250Q

Опис: FEMALE DISCONNECT VINYL 1=1PC

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDV301N

FDV301N

Опис: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDV302P-NB8V001

FDV302P-NB8V001

Опис: MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDV305N

FDV305N

Опис: MOSFET N-CH 20V 0.9A SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDV304P_NB8U003

FDV304P_NB8U003

Опис: MOSFET P-CH 25V 460MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDV0530-H-2R2M=P3

FDV0530-H-2R2M=P3

Опис: FIXED IND 2.2UH 6A 19.9MOHM SMD

Виробники: Murata Electronics
В наявності
RFQ
FDV304P-D87Z

FDV304P-D87Z

Опис: MOSFET P-CH 25V 0.46A SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDV301N_D87Z

FDV301N_D87Z

Опис: MOSFET N-CH 25V 0.22A SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDV18-187Q

FDV18-187Q

Опис: FEMALE DISCONNECT VINYL INS

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDV045P20L

FDV045P20L

Опис: MOSFET P-CH 20V 1.15A SOT23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDVE1040-H-4R7M=P3

FDVE1040-H-4R7M=P3

Опис: FIXED IND 4.7UH 8A 13.8MOHM SMD

Виробники: Murata Electronics
В наявності
RFQ
FDV301N-NB9V005

FDV301N-NB9V005

Опис: MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.