Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDT86113LZ
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2236045Зображення FDT86113LZAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDT86113LZ

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
4000+
$0.334
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDT86113LZ
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    1.FDT86113LZ.pdf
    2.FDT86113LZ.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    SOT-223-4
  • Серія
    PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    100 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.2W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
  • Інші імена
    FDT86113LZ-ND
    FDT86113LZTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    25 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    315pF @ 50V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    6.8nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 3.3A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    3.3A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDT86113LZ".
FDT86102LZ

FDT86102LZ

Опис: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDT457N

FDT457N

Опис: MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-EPNA

FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-EPNA

Опис: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC

FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC

Опис: COUPLING TRAY 4 SC UPC PIGS

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDT55AN06LA0

FDT55AN06LA0

Опис: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDT86246

FDT86246

Опис: MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDT459N

FDT459N

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN

FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN

Опис: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDT458P

FDT458P

Опис: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDT434P

FDT434P

Опис: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223

Виробники: Fairchild/ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDTC-08M-E-00N-00N-A

FDTC-08M-E-00N-00N-A

Опис: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDT3N40TF

FDT3N40TF

Опис: MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDT461N

FDT461N

Опис: MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDT86106LZ

FDT86106LZ

Опис: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDT439N

FDT439N

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDT86256

FDT86256

Опис: MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDT86246L

FDT86246L

Опис: MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDT86244

FDT86244

Опис: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA

FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA

Опис: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
FDTC-08M-E-00N-01C-A-08-EPNA

FDTC-08M-E-00N-01C-A-08-EPNA

Опис: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Виробники: 3M
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.