Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDS8870_G
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
6870856Зображення FDS8870_GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS8870_G

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDS8870_G
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    INTEGRATED CIRCUIT
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    4.2 mOhm @ 18A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.5W (Ta)
  • Упаковка
    Bulk
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    4615pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    112nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 18A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    18A (Ta)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDS8870_G".
FDS8884

FDS8884

Опис: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS89141

FDS89141

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS89161LZ

FDS89161LZ

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS89161

FDS89161

Опис: MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8896

FDS8896

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8813NZ

FDS8813NZ

Опис: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8840NZ

FDS8840NZ

Опис: MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8874

FDS8874

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8870

FDS8870

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8817NZ

FDS8817NZ

Опис: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8878

FDS8878

Опис: MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8842NZ

FDS8842NZ

Опис: MOSFET N-CH 40V 14.9A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8876

FDS8876

Опис: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8882

FDS8882

Опис: MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8858CZ

FDS8858CZ

Опис: MOSFET N/P-CH 30V 8.6A/7.3A 8-SO

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8690

FDS8690

Опис: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8672S

FDS8672S

Опис: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8670

FDS8670

Опис: MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8880

FDS8880

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS8812NZ

FDS8812NZ

Опис: MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.