Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDS6679
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4114424Зображення FDS6679AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6679

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$2.03
10+
$1.831
100+
$1.471
500+
$1.144
1000+
$0.948
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDS6679
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDS6679.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±25V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 13A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.5W (Ta)
  • Упаковка
    Cut Tape (CT)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    FDS6679CT
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    12 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3939pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    100nC @ 10V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    P-Channel 30V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDS6679".
FDS6685

FDS6685

Опис: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6688

FDS6688

Опис: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6682

FDS6682

Опис: MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6673AZ

FDS6673AZ

Опис: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6673BZ-F085

FDS6673BZ-F085

Опис: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6675A

FDS6675A

Опис: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6681Z

FDS6681Z

Опис: MOSFET P-CH 30V 20A 8-SO

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6675

FDS6675

Опис: MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6672A

FDS6672A

Опис: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6670A

FDS6670A

Опис: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6680

FDS6680

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6680A

FDS6680A

Опис: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6679Z

FDS6679Z

Опис: MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6680AS

FDS6680AS

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6670AS

FDS6670AS

Опис: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6673BZ

FDS6673BZ

Опис: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6679AZ

FDS6679AZ

Опис: MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6680S

FDS6680S

Опис: MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6675BZ

FDS6675BZ

Опис: MOSFET P-CH 30V 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6676AS

FDS6676AS

Опис: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.