Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDS6612A
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2687201Зображення FDS6612AAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDS6612A

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.337
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDS6612A
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDS6612A.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    8-SO
  • Серія
    PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 8.4A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    2.5W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Інші імена
    FDS6612ATR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    26 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    560pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    7.6nC @ 5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 8.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    8.4A (Ta)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDS6612A".
FDS6673BZ

FDS6673BZ

Опис: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6298_G

FDS6298_G

Опис: MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8SO

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6630A

FDS6630A

Опис: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6670A

FDS6670A

Опис: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6675A

FDS6675A

Опис: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6672A

FDS6672A

Опис: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6609A

FDS6609A

Опис: MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6574A

FDS6574A

Опис: MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6670AS

FDS6670AS

Опис: MOSFET N-CH 30V 13.5A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6673BZ-F085

FDS6673BZ-F085

Опис: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6575

FDS6575

Опис: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6675

FDS6675

Опис: MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6614A

FDS6614A

Опис: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6298

FDS6298

Опис: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6673AZ

FDS6673AZ

Опис: MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6570A

FDS6570A

Опис: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC

Виробники: Fairchild/ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6375

FDS6375

Опис: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6576

FDS6576

Опис: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6299S

FDS6299S

Опис: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDS6572A

FDS6572A

Опис: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.