Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDFME3N311ZT
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3637981Зображення FDFME3N311ZTAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDFME3N311ZT

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
5000+
$0.252
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDFME3N311ZT
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDFME3N311ZT.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±12V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    6-MicroFET (1.6x1.6)
  • Серія
    PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    299 mOhm @ 1.6A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    1.4W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    6-UFDFN Exposed Pad
  • Інші імена
    FDFME3N311ZT-ND
    FDFME3N311ZTTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    75pF @ 15V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    1.4nC @ 4.5V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    2.5V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    30V
  • Детальний опис
    N-Channel 30V 1.8A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    1.8A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDFME3N311ZT".
FDFMA2P853T

FDFMA2P853T

Опис: MOSFET P-CH 20V 3A 6-MICROFET

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFS2P103A

FDFS2P103A

Опис: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFMJ2P023Z

FDFMJ2P023Z

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.9A 6MLP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFS2P102

FDFS2P102

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFMA2P857

FDFMA2P857

Опис: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET2X2

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFMA2P029Z-F106

FDFMA2P029Z-F106

Опис: -20V -3.1A 95 O PCH ER T

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFMA2P853

FDFMA2P853

Опис: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET6

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFS6N548

FDFS6N548

Опис: MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFMA2N028Z

FDFMA2N028Z

Опис: MOSFET N-CH 20V 3.7A MLP2X2

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFS2P102A

FDFS2P102A

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFS2P106A

FDFS2P106A

Опис: MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFS2P753AZ

FDFS2P753AZ

Опис: MOSFET P-CH 30V 3A 8-SO

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFS2P103

FDFS2P103

Опис: MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFMA2P029Z

FDFMA2P029Z

Опис: MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFME2P823ZT

FDFME2P823ZT

Опис: MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFS2P753Z

FDFS2P753Z

Опис: MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFMA3N109

FDFMA3N109

Опис: MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFMA3P029Z

FDFMA3P029Z

Опис: MOSFET P CH 30V 3.3A MICRO 2X2

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFS6N303

FDFS6N303

Опис: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDFMA2P859T

FDFMA2P859T

Опис: MOSFET P-CH 20V 3A MICROFET

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.