Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDD306P
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2713654

FDD306P

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
2500+
$0.371
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDD306P
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDD306P.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±8V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-252
  • Серія
    PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 6.7A, 4.5V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    52W (Ta)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Інші імена
    FDD306P-ND
    FDD306PTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    9 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    1290pF @ 6V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    21nC @ 4.5V
  • Тип FET
    P-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    1.8V, 4.5V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    12V
  • Детальний опис
    P-Channel 12V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    6.7A (Ta)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDD306P".
FDD3682

FDD3682

Опис: MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD3682-F085

FDD3682-F085

Опис: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD26AN06A0

FDD26AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 36A D-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD2570

FDD2570

Опис: MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD3510H

FDD3510H

Опис: MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD2670

FDD2670

Опис: MOSFET N-CH 200V 3.6A D-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD2572-F085

FDD2572-F085

Опис: MOSFET N-CH 150V 29A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD300004

FDD300004

Опис: OSC XO 133.000MHZ CMOS SMD

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
FDD2582

FDD2582

Опис: MOSFET N-CH 150V 21A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD3670

FDD3670

Опис: MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK

Виробники: Fairchild/ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD2612

FDD2612

Опис: MOSFET N-CH 200V 4.9A D-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD330003

FDD330003

Опис: OSCILLATOR XO 133.33MHZ CMOS SMD

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
FDD26AN06A0-F085

FDD26AN06A0-F085

Опис: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD3672-F085

FDD3672-F085

Опис: MOSFET N-CH 100V 44A DPAK-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD3570

FDD3570

Опис: MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD2572

FDD2572

Опис: MOSFET N-CH 150V 29A D-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD3580

FDD3580

Опис: MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD3680

FDD3680

Опис: MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD3672

FDD3672

Опис: MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDD2512

FDD2512

Опис: MOSFET N-CH 150V 6.7A D-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.