Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDB9403L-F085
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
474284Зображення FDB9403L-F085AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB9403L-F085

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
800+
$2.097
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDB9403L-F085
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 40V 110A
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDB9403L-F085.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D²PAK (TO-263AB)
  • Серія
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    1.2 mOhm @ 80A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    333W (Tj)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    FDB9403L-F085TR
    FDB9403L_F085
    FDB9403L_F085-ND
    FDB9403L_F085TR
    FDB9403L_F085TR-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    13500pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    245nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    40V
  • Детальний опис
    N-Channel 40V 110A (Tc) 333W (Tj) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    110A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDB9403L-F085".
FDB8896-F085

FDB8896-F085

Опис: MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB9503L-F085

FDB9503L-F085

Опис: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB9403_SN00268

FDB9403_SN00268

Опис: MOSFET N-CH 40V

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8876

FDB8876

Опис: MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDBA 50H 10-6 PN-K

FDBA 50H 10-6 PN-K

Опис: FDBA 50H 10-6 PN-K

Виробники: Agastat Relays / TE Connectivity
В наявності
RFQ
FDB9406L-F085

FDB9406L-F085

Опис: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8860-F085

FDB8860-F085

Опис: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB9406-F085

FDB9406-F085

Опис: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB9506L-F085

FDB9506L-F085

Опис: MOSFET N-CH 30V

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8878

FDB8878

Опис: MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8880

FDB8880

Опис: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB9409L-F085

FDB9409L-F085

Опис: NMOS D2PAK 40V 3.5 MOHM

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDBA 53H 8-3A-PN-K

FDBA 53H 8-3A-PN-K

Опис: FDBA 53H 8-3A-PN-K

Виробники: Agastat Relays / TE Connectivity
В наявності
RFQ
FDB8870

FDB8870

Опис: MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8870-F085

FDB8870-F085

Опис: MOSFET N-CH 30V 21A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8874

FDB8874

Опис: MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB9409-F085

FDB9409-F085

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

Опис: FDBA 50H 14-19 PN-K-A276

Виробники: Agastat Relays / TE Connectivity
В наявності
RFQ
FDB9403-F085

FDB9403-F085

Опис: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8896

FDB8896

Опис: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.