Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDB8453LZ
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
109418Зображення FDB8453LZAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB8453LZ

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDB8453LZ
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDB8453LZ.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-263AB
  • Серія
    PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    7 mOhm @ 17.6A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.1W (Ta), 66W (Tc)
  • Упаковка
    Original-Reel®
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    FDB8453LZDKR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3545pF @ 20V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    4.5V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    40V
  • Детальний опис
    N-Channel 40V 16.1A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    16.1A (Ta), 50A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDB8453LZ".
FDB8445

FDB8445

Опис: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8443

FDB8443

Опис: MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8444TS

FDB8444TS

Опис: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8443-F085

FDB8443-F085

Опис: MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB86566-F085

FDB86566-F085

Опис: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8832

FDB8832

Опис: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB86366-F085

FDB86366-F085

Опис: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8447L

FDB8447L

Опис: MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8442

FDB8442

Опис: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8442-F085

FDB8442-F085

Опис: MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB86569-F085

FDB86569-F085

Опис: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB86360-F085

FDB86360-F085

Опис: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB86360_SN00307

FDB86360_SN00307

Опис: MOSFET N-CH 80V

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB86563-F085

FDB86563-F085

Опис: MOSFET N-CH 60V 110A TO-263

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8444-F085

FDB8444-F085

Опис: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB86363-F085

FDB86363-F085

Опис: MOSFET N-CH 80V 110A TO263

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8445-F085

FDB8445-F085

Опис: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB8444

FDB8444

Опис: MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB86102LZ

FDB86102LZ

Опис: MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB86135

FDB86135

Опис: MOSFET N-CH 100V D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.