Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDB3632
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1015791Зображення FDB3632AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB3632

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
800+
$1.885
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDB3632
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDB3632.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D²PAK
  • Серія
    PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    9 mOhm @ 80A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    310W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Інші імена
    FDB3632TR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    10 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    6000pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    6V, 10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta), 80A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDB3632".
FDB390N15A

FDB390N15A

Опис: MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2572

FDB2572

Опис: MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB

Виробники: Fairchild/ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB3502

FDB3502

Опис: MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB3682

FDB3682

Опис: MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB

Виробники: Fairchild/ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB3860

FDB3860

Опис: MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2552-F085

FDB2552-F085

Опис: MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2570

FDB2570

Опис: MOSFET N-CH 150V 22A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2552

FDB2552

Опис: MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB38N30U

FDB38N30U

Опис: MOSFET N CH 300V 38A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2710

FDB2710

Опис: MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB3672-F085

FDB3672-F085

Опис: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB3652

FDB3652

Опис: MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2614

FDB2614

Опис: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB2670

FDB2670

Опис: MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB3652-F085

FDB3652-F085

Опис: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB28N30TM

FDB28N30TM

Опис: MOSFET N-CH 300V 28A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB3632_SB82115

FDB3632_SB82115

Опис: INTEGRATED CIRCUIT

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB3672

FDB3672

Опис: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB33N25TM

FDB33N25TM

Опис: MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB3632-F085

FDB3632-F085

Опис: MOSFET N-CH 100V 12A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.