Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FDB0260N1007L
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
4690532Зображення FDB0260N1007LAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB0260N1007L

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
800+
$4.087
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FDB0260N1007L
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FDB0260N1007L.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    D²PAK (TO-263)
  • Серія
    PowerTrench®
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.6 mOhm @ 27A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    3.8W (Ta), 250W (Tc)
  • Упаковка
    Tape & Reel (TR)
  • Пакет / Корпус
    TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
  • Інші імена
    FDB0260N1007LTR
  • Робоча температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Surface Mount
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Час виробництва виробника
    39 Weeks
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    8545pF @ 50V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    118nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    100V
  • Детальний опис
    N-Channel 100V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    200A (Tc)

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FDB0260N1007L".
FDB029N06

FDB029N06

Опис: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB0105N407L

FDB0105N407L

Опис: MOSFET N-CH 40V 460A

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

Опис: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB045AN08A0-F085

FDB045AN08A0-F085

Опис: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB0190N807L

FDB0190N807L

Опис: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB039N06

FDB039N06

Опис: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB0250N807L

FDB0250N807L

Опис: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB0300N1007L

FDB0300N1007L

Опис: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB035AN06A0-F085

FDB035AN06A0-F085

Опис: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB045AN08A0

FDB045AN08A0

Опис: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB024N06

FDB024N06

Опис: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

Опис: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB035N10A

FDB035N10A

Опис: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB035AN06A0

FDB035AN06A0

Опис: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB0165N807L

FDB0165N807L

Опис: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB047N10

FDB047N10

Опис: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB016N04AL7

FDB016N04AL7

Опис: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB0170N607L

FDB0170N607L

Опис: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB031N08

FDB031N08

Опис: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FDB-S

FDB-S

Опис: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Виробники: Hirose
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.