Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FCU2250N80Z
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
3514704Зображення FCU2250N80ZAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU2250N80Z

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$1.73
10+
$1.533
100+
$1.212
500+
$0.94
1000+
$0.742
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FCU2250N80Z
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FCU2250N80Z.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4.5V @ 260µA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    I-PAK
  • Серія
    SuperFET® II
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    39W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    585pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    800V
  • Детальний опис
    N-Channel 800V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FCU2250N80Z".
IXTY4N65X2

IXTY4N65X2

Опис: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IRFZ30PBF

IRFZ30PBF

Опис: MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Опис: MOSFET N-CH 600V IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Опис: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
GA05JT12-247

GA05JT12-247

Опис: TRANS SJT 1200V 5A

Виробники: GeneSiC Semiconductor
В наявності
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Опис: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCU-2

FCU-2

Опис: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Опис: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Виробники: Murata Electronics
В наявності
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Опис: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCU-7

FCU-7

Опис: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Виробники: Bussmann (Eaton)
В наявності
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Опис: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Опис: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
IXTC200N10T

IXTC200N10T

Опис: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
SPA15N65C3XKSA1

SPA15N65C3XKSA1

Опис: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Опис: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Опис: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Опис: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Виробники: Diodes Incorporated
В наявності
RFQ
IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

Опис: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Виробники: Electro-Films (EFI) / Vishay
В наявності
RFQ
FQB2NA90TM

FQB2NA90TM

Опис: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.