Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FCP190N65F
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
2867875Зображення FCP190N65FAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCP190N65F

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$4.09
10+
$3.651
100+
$2.994
800+
$2.191
1600+
$2.045
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FCP190N65F
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FCP190N65F.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    5V @ 2mA
  • Vgs (Макс)
    ±20V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    TO-220-3
  • Серія
    FRFET®, SuperFET® II
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 10A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    208W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-220-3
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3225pF @ 25V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    78nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    650V
  • Детальний опис
    N-Channel 650V 20.6A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    20.6A (Tc)

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Південна Корея планує прийняти ...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FCP190N65F".
FCP1913H473J

FCP1913H473J

Опис: CAP FILM 0.047UF 5% 50VDC 1913

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
FCP190N60

FCP190N60

Опис: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCP170N60

FCP170N60

Опис: MOSFET N-CH 600V 22A TO220

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCP1913H104G-E2

FCP1913H104G-E2

Опис: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
FCP1913H104G

FCP1913H104G

Опис: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
FCP165N60E

FCP165N60E

Опис: MOSFET N-CH 600V 23A TO220

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCP165N65S3

FCP165N65S3

Опис: SF3 650V 165MOHM E TO220

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCP190N65S3

FCP190N65S3

Опис: MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCP190N60-GF102

FCP190N60-GF102

Опис: MOSFET N-CH 600V TO-220-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCP1913H104J-E3

FCP1913H104J-E3

Опис: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
FCP1913H473G-E1

FCP1913H473G-E1

Опис: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
FCP1913H473G

FCP1913H473G

Опис: CAP FILM 0.047UF 2% 50VDC 1913

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
FCP1913H104J-E2

FCP1913H104J-E2

Опис: CAP FILM 0.1UF 5% 50VDC 1913

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
FCP16N60

FCP16N60

Опис: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCP190N65S3R0

FCP190N65S3R0

Опис: MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCP16N60N

FCP16N60N

Опис: MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCP1913H104G-E3

FCP1913H104G-E3

Опис: CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913

Виробники: Cornell Dubilier Electronics
В наявності
RFQ
FCP190N60E

FCP190N60E

Опис: MOSFET N-CH 600V TO220-3

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCP16N60N-F102

FCP16N60N-F102

Опис: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCP165N65S3R0

FCP165N65S3R0

Опис: SUPERFET3 650V TO220 PKG

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.