Для відвідувачів Electronica 2024

Забронюйте свій час зараз!

Все, що потрібно, - це кілька кліків, щоб зарезервувати своє місце та отримати квиток на стенду

Зал С5 Бут 220

Попередня реєстрація

Для відвідувачів Electronica 2024
Ви всі зареєструвались! Дякуємо за зустріч!
Ми надішлемо вам квитки на стенд електронною поштою, як тільки ми перевіримо ваше бронювання.
Будинок > Продукти > Дискретні напівпровідникові продукти > Транзистори - транзистори, транзистори, транзистор > FCI25N60N-F102
RFQs/замовлення (0)
Україна
Україна
1532430Зображення FCI25N60N-F102AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCI25N60N-F102

Запит запиту

Будь ласка, заповніть усі необхідні поля за допомогою вашої контактної інформації.Або електронною поштою нам:info@ftcelectronics.com

Довідкова ціна (у доларах США)

В наявності
1+
$7.79
10+
$6.958
100+
$5.705
500+
$4.62
1000+
$3.896
Запит онлайн
Технічні характеристики
  • Номер частини
    FCI25N60N-F102
  • Виробник / марка
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Кількість запасів
    В наявності
  • Опис
    MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Без свинцю / RoHS відповідність
  • Технічні таблиці
    FCI25N60N-F102.pdf
  • Vgs (th) (Макс.) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Макс)
    ±30V
  • Технологія
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Пакет пристрою постачальника
    I2PAK (TO-262)
  • Серія
    SupreMOS™
  • Rds On (Макс.) @ Id, Vgs
    125 mOhm @ 12.5A, 10V
  • Розсіювання живлення (макс.)
    216W (Tc)
  • Упаковка
    Tube
  • Пакет / Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Інші імена
    FCI25N60N_F102
    FCI25N60N_F102-ND
  • Робоча температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип монтажу
    Through Hole
  • Рівень чутливості вологи (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Статус безкоштовного статусу / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
    3352pF @ 100V
  • Плата за воріт (Qg) (макс.) @ Vgs
    74nC @ 10V
  • Тип FET
    N-Channel
  • Особливість FET
    -
  • Напруга привода (максимальна кількість кадрів, мін. Індикація на)
    10V
  • Водовідведення до джерела напруги (Vdss)
    600V
  • Детальний опис
    N-Channel 600V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Поточний - безперервний стік (Id) @ 25 ° C
    25A (Tc)

Antropic отримує ще 4 мільярди долар...

2024/11/23

Semi: збільшення продажів ІС на 12...

2024/11/22

Повідомляється, що Kioxia отримає з...

2024/11/21

Остання оптична платформа Tower Semi...

2024/11/20

Промисловість повільно відновл...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Постачальник: Велика кількість ...

2024/11/18

Тайвань, вихідна вартість напів...

2024/11/17

Розширення виробництва OLED -пане...

2024/11/15

Amazon збільшує зусилля щодо створ...

2024/11/14

Чистий прибуток Пегатрона в ква...

2024/11/13
Доставка
Оплата
Далі - продукти, пов'язані з "FCI25N60N-F102".
IRFZ48NL

IRFZ48NL

Опис: MOSFET N-CH 55V 64A TO-262

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
RUE002N05TL

RUE002N05TL

Опис: MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3

Виробники: LAPIS Semiconductor
В наявності
RFQ
IPB160N08S403ATMA1

IPB160N08S403ATMA1

Опис: MOSFET N-CH TO263-7

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
NTMFS4C56NT3G

NTMFS4C56NT3G

Опис: MOSFET N-CH 30V 69A SO8FL

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
PH2030AL,115

PH2030AL,115

Опис: MOSFET N-CH 30V LFPAK

Виробники: NXP Semiconductors / Freescale
В наявності
RFQ
FDMS86500L

FDMS86500L

Опис: MOSFET N CH 60V 25A 8-PQFN

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
STFU24N60M2

STFU24N60M2

Опис: MOSFET N-CH 600V 18A TO-220FP

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
BUK7230-55A,118

BUK7230-55A,118

Опис: MOSFET N-CH 55V 38A DPAK

Виробники: Nexperia
В наявності
RFQ
STF19NF20

STF19NF20

Опис: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FP

Виробники: STMicroelectronics
В наявності
RFQ
FCI25N60N

FCI25N60N

Опис: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCI7N60

FCI7N60

Опис: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FQD4P25TF

FQD4P25TF

Опис: MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
APT6013JLL

APT6013JLL

Опис: MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227

Виробники: Microsemi Corporation
В наявності
RFQ
IXTP200N085T

IXTP200N085T

Опис: MOSFET N-CH 85V 200A TO-220

Виробники: IXYS Corporation
В наявності
RFQ
IPU09N03LA G

IPU09N03LA G

Опис: MOSFET N-CH 25V 50A TO-251

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
2SJ600-Z-E1-AZ

2SJ600-Z-E1-AZ

Опис: TRANSISTOR

Виробники: Renesas Electronics America
В наявності
RFQ
IRF6892STRPBF

IRF6892STRPBF

Опис: MOSFET N CH 25V 28A S3

Виробники: International Rectifier (Infineon Technologies)
В наявності
RFQ
FK8V03030L

FK8V03030L

Опис: MOSFET N CH 33V 12A WMINI8

Виробники: Panasonic
В наявності
RFQ
FDMA530PZ

FDMA530PZ

Опис: MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
FCI11N60

FCI11N60

Опис: MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK

Виробники: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
В наявності
RFQ
Як єдиний дистриб'ютор відкритих ринку публічного ринку, ми володіємо унікальним поєднанням глобального доступу, досвіду виробничої галузі та перевіреної якості.Завдяки цьому ми можемо створити індивідуальні рішення ланцюга поставок для електронних компонентів для пошуку електроніки та управління запасами.
Слідуй за нами
Загальні положення та умовиПолітика порушенняЗапитайте цитатуПро насЗв'яжіться з намиКарта сайту

Оберіть мову

Клацніть на простір, щоб вийти

Поточна мова

Виберіть свою країну чи регіон.